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ISSUE FOCUS 바이든 방한

이재용, 바이든에 3나노 공정 소개···기술 자신감 돋보였다

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세계 최대 규모 최첨단 반도체 생산기지 찾아
삼성 상반기 양산 예정인 3나노 시제품 공개
TSMC 대비 빠른 양산···앞선 기술력 강조

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20일 오산 미군기지에 도착한 조 바이든 미 대통령이 전용기 에어포스원에서 내려오고 있다. 사진=이수길 기자 leo2004@newsway.co.kr

이재용 삼성전자 부회장이 윤석열 대통령, 조 바이든 미국 대통령과 함께 평택 사업장을 찾아 삼성전자의 반도체 기술력을 직접 소개했다.

삼성전자 평택캠퍼스는 축구장 400개 크기의 세계 최대 규모의 최첨단 반도체 생산기지로 한국 반도체 산업의 위상 및 글로벌 공급망 내 비중을 보여주는 장소다.

한미 정상이 삼성전자 평택캠퍼스를 함께 방문한 것은 반도체를 통한 '한·미 경제안보 동맹 강화'로 글로벌 공급망 문제를 함께 해결해 나가려는 강력한 의지 표명으로 해석되고 있다.

20일 국민소통관장실에 따르면 서병훈 삼성전자 부사장은 이날 윤 대통령과 바이든 대통령에게 삼성전자 시제품에 대해 설명하는 시간을 가졌다. 이는 삼성이 세계 최초 개발한 차세대 게이트 올 어라운드(GAA) 기반 3나노미터(㎚, 10억분의 1m) 반도체다.

삼성전자는 파운드리 경쟁사인 대만 TSMC와 격차를 좁히기 위해 올해 상반기 중으로 차세대 기술인 GAA를 선제 적용한 3나노 제품 양산을 목표로 하고 있다.

1세대 GAA공정의 품질 검증을 완료하고 2분기 업계 최초로 제품을 양산해 경쟁사 대비 기술 우위를 확보한다는 방침이다. 이는 TSMC보다 빠른 양산 속도다.

지금까지 삼성전자는 TSMC 대비 첨단 기술 도입이 늦었으나 3나노미터에 GAA를 TSMC 대비 먼저 도입하며 기술경쟁에서 앞서 나가게 된 것이다. TSMC의 경우 2나노미터 공정부터 GAA를 적용하는 것으로 알려졌다.

이에 삼성전자는 이번 행사를 통해 TSMC보다 미세공정 기술력이 앞선다는 점을 강조한 것으로 보인다.

GAA 기술은 전력 효율, 성능, 설계 유연성 측면에서 공정 미세화를 지속하는데 필수적인 기술이다. 기존 핀펫보다 칩 면적은 줄이고 소비 전력은 감소시키면서 성능은 높였다.

윤 대통령과 바이든 대통령은 평택캠퍼스 방문에서 방명록 대신 반도체 웨이퍼에 서명하는 행사를 갖기도 했다.

한편 미국 퀄컴의 크리스티아노 아문 최고경영자(CEO)도 미국 측 경제사절단에 합류해 평택캠퍼스 일정에 동행했다. 업계에서는 삼성전자가 바이든 대통령과 함께 주요 고객사인 퀄컴 CEO 앞에서 첨단기술을 공개하는 것 또한 주목하고 있다.

그동안 삼성전자의 파운드리 경쟁력 약화에 대한 지적이 계속됐으나 이번 계기로 양사간 협력을 공고히하며 우려를 덜어낼 수 있다는 분석이다.

삼성전자는 지난달 진행된 1분기 실적 컨퍼런스콜을 통해서도 이 같은 우려에 대해 직접 해명하기도 했다.

당시 강문수 부사장은 최근 파운드리 고객사 이탈에 대한 질문에 "시장 우려와 다르게 현재 고객사 수요는 자사 캐파 이상으로 견조하다"며 "공급 부족 현상이 지속될 예정"이라고 설명했다.

또한 "삼성전자의 향후 5개년 구간 수주 잔액은 전년도 매출의 8배 규모"라며 "선단공장 중심으로 적극적인 프로모션 중이며 향후 수주 규모는 더욱 증가할 것"이라고 말했다.

이지숙 기자 jisuk618@

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